耐高压单层陶瓷电容器

在GaN半导体中，单层陶瓷电容也用于阻抗匹配，在漏极侧高压下使用，所以能承受高电压的单层陶瓷电容是必不可少的。除了偏置电压之外，还叠加了放大的高频电压，因此要求单层陶瓷电容器具有高耐压，并在额定电压范围内留有余量。

制造额定电压200V的单层陶瓷电容。

Tecdia因​​应市场需求，制作了以下规格的高压单层陶瓷电容器样机。

Tecdia 的高压单层陶瓷电容器具有五个特点。
1．介电击穿电压达到 500 V 或更高，是高压应用的理想选择
2．高可靠性
3．通过定制为矩形，可以对应狭长空间的封装需求（L:W = 最大 8:1）
4．定制尺寸和电容值提供上佳解决方案
5．导电环氧树脂附着保护热敏外围组件

从电介质基板的制造到批量生产，都能提供满足客户需求的产品。

在 Tecdia，我们生产 40 到 50,000 材介电基板，从粘合到内部烧制，可实现适用于高压应用的极高绝缘性能。我们从制造介电基板到产品批量生产，我们可以根据客户需求定制尺寸和电容值。

实现半导体高效率

我们通过使用高压单层陶瓷电容器优化阻抗实现了高效率，并且我们收到了与 MOS 电容器相比功率附加效率（PAE）有所提高的反馈。

高压单层陶瓷电容器的应用示例包括用于军用无线电设备放大半导体的偏置电路和阻抗匹配。目前，我们的常规产品系列中没有符合客户需求的高压电容，但在与客户确认规格后，我们提供完全符合客户需求的替代产品。如有需要请联系我们。