随着半导体技术革新的日新月异，对GaN的关注度也愈发高涨
由于5G通信的高速发展，带动了整个半导体行业技术的革新。半导体材料也由新材料GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）代替了原先Si（硅）材料。通讯基站为了支持高速通讯的同时并能够有效的控制用电量，现如今正在研发一种使用GaN芯片的晶体管。而Tecdia新研发出的「高长宽比电容」能够完美的匹配GaN芯片封装设计，为通信市场做出贡献。
需求
采用前的状态、问题
市场需求一款能够与GaN芯片大小相匹配的单层陶瓷电容
解决方案
问题的解决策略
制作一款颠覆常识性的长宽比为1:6的矩形电容
要点
决定采用的理由
能够满足顾客需求的设计能力与打破常规设计的产品制造技术
结果
情况与效果
为缩短封装工序与降本做出贡献
需求采用前的状态、问题

市场需求一款能够与GaN芯片尺寸相匹配的单层陶瓷电容

在将GaN芯片与单层陶瓷电容打线接合时，由于GaN芯片的输出功率非常强大，为了能匹配与之相应的需求，一般会用多根引线进行调整。而由于市场上主流的GaN芯片都以矩形为主，所以电容的长度必须要与GaN芯片所吻合。但是单层陶瓷电容的制作对长宽比有限制要求，所以需生产一款能够与之尺寸匹配的电容并非易事

（↑目前为止的匹配方法。必须使用复数的电容与之匹配）

解决方案问题的解决策略

「高长宽比矩形电容」减少配件数量

Tecdia成功研制出了能够与GaN芯片尺寸完美匹配的矩形单层陶瓷电容。一般来说电容的长宽极限比为1:3，而突破这层极限调整比例为 1:6的话不但可以免去使用多个电容排列，同时还能够减少部件的封装数量，降本增效。

要点决定采用的理由

能够满足顾客需求的设计能力与打破常规设计的产品制造技术

由于单层陶瓷电容的高长宽比的设计，会给制造上带来诸多不便。例如在切割过程中容易碎裂，金膜容易脱落等等。而Tecdia独有的加工技术能够有效控制切割过程中的易碎问题，并在设计时采用表面留边，使金膜能够从表层渗透进入内侧从而杜绝脱落的问题。同时聆听顾客关于热膨胀可能引起产品弯曲破裂等反馈，将底面改变成无镀金设计。

结果情况与效果

省去了纵向同时封装多个电容的繁琐，为顾客实行降本增效做出贡献

分类： 通信（光通信/无线通信/5G/6G)

客户信息

 

微波通信业

 

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矩形电容

 

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