SiC晶片的芯片化用传统工艺难以实现。

SiC（碳化硅）是地球上硬度第3的化合物。新莫氏硬度为13，比SiC还硬的只有金刚石（新莫氏硬度15）和碳化硼（新莫氏硬度14）。正因为SiC晶片具有坚硬的电路板，采用切割工艺时会有切削速度慢、生产率低且崩裂过大的问题，如果采用激光工艺，则会有碎片，或者设备本身价格过高且光源稳定性不能保证的问题。

从设备开发阶段出发，如果要稳定地进行实现批量生产活跃动向的SiC电路板的芯片化，必须要解决这些问题。

划线工艺要解决这个难题。

使用TECDIA独创的研磨技术进行划线工具（刀具）的开发。同时，结合已开发的划线工具（刀具）,还可对划线工具进行优化设置，成功实现SiC晶片的芯片化。如引入本技术，可实现高品质及高生产率的SiC晶片的芯片化。

*"划线设备"与"划线工具（刀具）"配套系列，只有专注于技术开发的TECDIA才能实现的技术。

以客户的"目标"为目标，发挥TECDIA产品的定制能力。

除了按照客户提供的样品进行芯片化之外，认真咨询客户"您希望得到什么样的结果"，听取更细致的要求，然后应用TECDIA已有技术的定制能力，这是关键。

本技术与激光工艺，砂轮式工艺相比，实现了高品质作业，提高了生产效率。推荐使用SiC晶片的芯片化工序。