科钻(上海)贸易有限公司TECDIA

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高长宽比矩形电容

随着半导体技术革新的日新月异,对GaN的关注度也愈发高涨

由于5G通信的高速发展,带动了整个半导体行业技术的革新。半导体材料也由新材料GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)代替了原先Si(硅)材料。通讯基站为了支持高速通讯的同时并能够有效的控制用电量,现如今正在研发一种使用GaN芯片的晶体管。而Tecdia新研发出的「高长宽比电容」能够完美的匹配GaN芯片封装设计,为通信市场做出贡献。

需求

导入前实践和课题

市场需求一款能够与GaN芯片大小相匹配的单层陶瓷电容

解决方案

课题的解决

制作一款颠覆常识性的长宽比为1:6的矩形电容

要点

决定导入的理由

能够满足顾客需求的设计能力与打破常规设计的产品制造技术

结果

现状与效果

为缩短封装工序与降本做出贡献

需求导入前的状况以及课题

市场需求一款能够与GaN芯片尺寸相匹配的单层陶瓷电容

在将GaN芯片与单层陶瓷电容打线接合时,由于GaN芯片的输出功率非常强大,为了能匹配与之相应的需求,一般会用多根引线进行调整。而由于市场上主流的GaN芯片都以矩形为主,所以电容的长度必须要与GaN芯片所吻合。但是单层陶瓷电容的制作对长宽比有限制要求,所以需生产一款能够与之尺寸匹配的电容并非易事

(↑目前为止的匹配方法。必须使用复数的电容与之匹配)

解决方案课题的解决

「高长宽比矩形电容」减少配件数量

Tecdia成功研制出了能够与GaN芯片尺寸完美匹配的矩形单层陶瓷电容。一般来说电容的长宽极限比为1:3,而突破这层极限调整比例为 1:6的话不但可以免去使用多个电容排列,同时还能够减少部件的封装数量,降本增效。

要点决定导入的理由

能够满足顾客需求的设计能力与打破常规设计的产品制造技术

由于单层陶瓷电容的高长宽比的设计,会给制造上带来诸多不便。例如在切割过程中容易碎裂,金膜容易脱落等等。而Tecdia独有的加工技术能够有效控制切割过程中的易碎问题,并在设计时采用表面留边,使金膜能够从表层渗透进入内侧从而杜绝脱落的问题。同时聆听顾客关于热膨胀可能引起产品弯曲破裂等反馈,将底面改变成无镀金设计。

结果状况和效果

省去了纵向同时封装多个电容的繁琐,为顾客实行降本增效做出贡献

客户信息

微波通信业